产品应用
PRODUCT APPLICATION
流明亮半导体
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COB-1200MCR-W |
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白光 |
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铜基板尺寸 （毫米） |
28×26.5×3.2 |
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驱动电流 ( IF，安培) |
12 |
18 |
24 |
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电流密度 ( j，安培/平方毫米) |
1.00 |
1.50 |
2.00 |
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出光量[1] (φ v，流明) |
最小值 2] |
2500 |
3200 |
4000 |
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典型值[2] |
2700 |
3500 |
4250 |
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最大值[2] |
2900 |
3700 |
4500 |
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电功率 （瓦） |
54 |
70 |
100 |
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典型电压 （VF,伏特） |
3.6 |
3.8 |
4.2 |
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发光面积[3] （平方毫米） |
12 |
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色温 ( CCT，K ) |
5000-12000 |
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典型显色指数 ( Ra ) |
72 |
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前向电压温度系数 ( mV/ ℃ ) |
-5.5 |
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最大电流[4] （A） |
24 |
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最大结温（Tj,max，℃） |
150 |
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储存温度 （℃） |
-40/+100 |
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动态电阻（Ω dyn，欧姆） |
0.050 |
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注释：
1.系指典型出光量的统计值，误差为+/-10%；
（注意：出光量与散热密切相关，请咨询生产商有关具体解决方案）
2.指的是在基板热敏电阻在 45oC 是测得稳定值；
3.指的是芯片总的发光面积，在 12-14 平方毫米之间；
4.系指电流密度在 2 安培/平方毫米的总电流，需要良好的散热条件。
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